成果：碳化硅紫外光电探测器
一、项目简介
现今，高响应度光电倍增管(PMT)为最广泛应用于微弱紫外信号的探测器，然而由于其体积大、易损坏、需要高精度高压电源、无法实现阵列探测和价格高等因素的制约，研制碳化硅紫外雪崩光电探测器取代光电倍增管已经成为近年来国际上光电探测领域的研究热点。与光电倍增管相比， 碳化硅紫外光电探测器具有体积小、可制作焦平面阵列探测、结构简单、可在室温下工作、成本低等优点。随着碳化硅材料和其器件制备技术的不断发展，其紫外光电探测器性能指标有望达到甚至超过光电倍增管。
本研究小组已就肖特基势垒光电二极管、MSM 光电二极管、p-i-n 光电二极管和雪崩光电二极管等各种结构碳化硅光电器件光电特性的模拟研究和制备关键工艺开展了一些基础理论和应用研究。目前已经成功实现面积 200 × 200 mm2-2000 × 2000 mm2 的碳化硅p-i-n 单管和 128×1 线阵列的量产，峰值绝对光谱响应度约为 0.13A/W，暗电流密度约为 1nA/cm2。已研制出具有 Al2O3/SiO2 增透膜的 MSM 结构碳化硅紫外光电探测器，10V 偏压下暗电流密度约为 3nA/cm2。已研制出高性能低雪崩电压的SACM 结构碳化硅雪崩光电二极管，单倍倍增工作电压条件下，暗电流密度约为3nA/cm2，在 90%击穿电压（70V）下，器件的暗电流密度小于 0.4μA/cm2， 当倍增因子 M=1000 时，器件的暗电流密度约为 3μA/cm2。器件获得较低的雪崩击穿电压为 77.6V，而且在临界雪崩击穿时倍增因子高达 106。
合作方式：技术转让或联合生产，具体合作方式可商议
